Categoría: Memorias

Fabio Baccaglioni

12GB de LPDDR4X para un teléfono, no será mucho? Es bastante más que cualquier configuración usual de notebooks que usualmente rondan los 8GB, pero en este caso en un teléfono. Obviamente tampoco será lo usual para los gama baja (esperen unos años para eso) ni tampoco que las apps de Android esten preparadas para usar tanto pero últimamente vienen incrementándose los requerimientos porque... porque se puede

El nuevo integrado está fabricado en proceso de 10 nanómetros de Samsung y aparecerá en el Galaxy S10+ cerámico, también se supone que será el chip de RAM de la edición 5G del S10 ya que al tener que utilizar un sólo chip para la memoria habilita espacio para otras antenas del 5G y los chips adicionales de éste.

La velocidad es la misma que en LPDDR4 con 4266 MB/s pero con un 10% menos de consumo eléctrico. Este modelo se suma al otro LPDDR4X de 8GB que suena más razonable en términos de teléfonos, pero desde ya que Samsung tiene que seguir incrementando números para ofrecer algo distinto en su gama alta, esto sin duda lo hace.

Via Samsung

Fabio Baccaglioni

Imaginen 1TB de almacenamiento en su teléfono, si, esa capacidad que en muchos casos es superior a tu PC habitual, 1TB en la palma de la mano. Esa es la densidad que alcanzó Samsung para sus memorias eUFS (embedded Universal Flash Storage) que se desarrollan para celulares.

Hace un año y medio Samsung había alcanzado los 512GB y ahora ya llegaron a esta nueva cifra con velocidad secuencial de lectura de 1GB/s, escritura de 260MB/s, velocidad de lectura aleatoria de 58.000IOPS y escritura de 50.000IOPS, que sería unas 500 veces la velocidad de una memoria flash en microSD, algo que se usa habitualmente para expandir la capacidad de los teléfonos pero que, tanto por interfaz como por tecnología del chip, suelen ser muy lentas.

El nuevo integrado mide 11.5mm x 13.0mm y duplica la capacidad previa integrando 16 capas simultáneas de V-NAND de 512 Gbits y un nuevo controlador, de paso aumentando la capacidad de fábrica de estas V-NAND de Pyeongtaek en Corea, ya que esperan gran demanda por este chip y no sólo por parte de sus propios teléfonos sino de la competencia.


Via Samsung

Fabio Baccaglioni

Pasaron 15 años entre que se presentó la primera tarjeta SD de 1GB y llegamos a la de 1TB, 1000 veces más, un crecimiento importante sin dudas.

La nueva línea 633x cuenta con una velocidad de lectura de 95MB/s y de escritura de 70MB/s está clasificada como Clase 10, y con esas velocidades va perfecta para video 4K en cámaras.

Hace un tiempo Sandisk había presentado un prototipo de esta capacidad pero curiosamente nunca llegó al mercado y esto le dio lugar a Lexar para alcanzarlos. El precio es caro, obviamente, más que comprar dos de 512GB, a unos USD 500 cuando la mitad cuesta USD 150, pero si uno quiere crear video es más que conveniente.

En varios comercios está en precio promocional a USD 400

Fabio Baccaglioni

Samsung viene dando algunos pasos importantes desde su fábrica de chips porque está anunciando que completó las pruebas de sus prototipos de DRAM de 8GB LPDDR5.

El mercado al que apunta es a futuro, no van a verlo este año en ningún teléfono pero probablemente en los futuros 5G, estas memorias ofrecen un 50% de mejoras en ciertos aspectos sobre las LPDDR4X con transferencias de hasta 6400Mbps que en sentido práctico vendrían a ser 51GB en un segundo de forma constante. Una bestialidad a la altura de las DDR5 que ya presentó en Febrero pero para móviles.

Para evitar excesos de consumo tendrá dos versiones, de 1.1Volts y de 1.05V esta última con tasas de 5500 Mbps además ambas sumando deep sleep mode para bajar el cosumo a la mitad cuando no se usan a la mitad de lo que ya bajaba el idle mode de los LPDDR4X.

Por todos estos detalles de consumo el mercado es obviamente celulares pero más aun el tema de incorporar Machine Learning en los móviles que está cada vez más en boga y requiere velocidades que ni siquiera tenemos en nuestras notebooks o desktops porque... vamos, realmente no lo necesita nadie Risa

Via Samsung

Fabio Baccaglioni


Si querés hacerle un upgrade a tu notebook gamer y necesitás nuevas memorias Samsung ya está fabricando en masa las SoDIMM DDR4 de 32GB a 10 nanómetros.

Las anteriores SoDIMM de la marca eran módulos de 16GB con chips de 8Gb a 20nm, así que hay un gran salto en capacidad con, según la marca, 11% de mejora de performance y 39% en cosumo.

Los nuevos módulos utilizan 16 de los nuevos chips de 16Gb DDR4, ocho por lado, con velocidades de hasta 2666 Mbps. Dos de estos consumen menos de 4.6W en actividad y 1.4W en idle dando 64GB de RAM.

Via Samsung
Fabio Baccaglioni


Aun cuando pocos tiene GDDR5 en sus placas de video Samsung ya da el páso siguiente con la sexta generación de la memoria dedicada especialmente para video, GDDR6

A diferencia de su antecesora, fabricada en 20 nanómetros, la nueva utilizará el proceso de 10nm, por ende ofreciendo doble densidad, en chips de 16 gigabits (en vez de ocho).

La empresa coreana promete unos 18Gbps de transferencia por pin con un total de 72GB/s trabajando a 1.35V (bajando de los 1.55V previos).

Obviamente esto llevará a placas más rápidas pero la contrapartida siempre es el precio ya que tienen el monopolio absoluto sobre este producto porque SK Hynix y Micron todavía no empezaron la producción en masa.

Via Samsung
Fabrizio Ballarino


La firma Western Digital Corporation acaba de presentar en plena feria IFA 2017 mediante una de sus submarcas a la tarjeta de memoria de mayor capacidad en el mundo en estos momentos, nos estamos refiriendo a la nueva SanDisk Ultra microSDXC UHS-I de 400GB de almacenamiento.

Este hito viene a duplicar en capacidad tanto a otra tarjeta anterior de la misma firma como a las restantes de la competencia. Y ojo, porque no sólo de capacidad viene la cuestión, pues se trata de un producto Clase 10 de su tipo.
Fabrizio Ballarino


IBM -- en asociación con Sony Storage Media Solutions -- logró un nuevo hito en cuanto a capacidad de almacenamiento y espacio se refiere. El gigante azul pudo insertar 330TB de información sin compresión en un cartucho que tiene un tamaño similar a un pendrive. Para darte una idea orientativa, eso equivale a aproximadamente 330 millones de libros.

El cartucho protagonista de esta nota está conformado por un tipo de cinta magnética especial que logra obtener un máximo de 201 gigabits por pulgada cuadrada. O sea, son 20 veces la densidad de las cintas magnéticas comunes usadas en la actualidad.
Fabio Baccaglioni


Oh si, bestial, pasaron dos años desde el anuncio de la de 512GB, la Sandisk Extreme Pro, hoy han dado un nuevo salto presentando en Photokina 2016 una del doble.

La nueva SDXC ofrec 1TB de almacenamiento en el tamaño típico de una tarjeta SD, obviamente no toda cámara de fotos la soporta actualmente aunque, por especificaciones, todas deberían.

Considerando que la anterior está alrededor de USD 300 hacia arriba es muy probable que la de 1TB sea realmente cara pero no más que una unidad SSD o M.2, claro, las velocidades son distintas. Nada de precio ni disponibilidad todavía, habrá que esperar, igualmente no tengo ningún apuro

Via Sandisk