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Intel anunció su proceso de 22nm y los transistores 3D Tri-Gate

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El gran anuncio de la fecha fue el de Intel, por ahí todavía algunos medios no entienden que significa cuando Intel anuncia una nueva etapa o tecnología porque parece una seguidilla lógica o evolución esperada, pero no, no lo es, esto va más allá.

El plan de Intel parece fijo porque tienen un plan justamente, nada se hace improvisado, hoy presentaron su proceso para construír procesadores a 22nm pero no sólo el tamaño se achicó, la arquitectura cambia completamente con los nuevos transistores 3D Tri-Gate. Suena a ciencia ficción pero no lo es, hace varios años que se viene hablando de este tipo de transistores, primero si eran físicamente posibles, y en 2009 Intel demostró cómo hacerlos con unos módulos de memoria con estos transistores.

Ahora pasan a mostrarnos el futuro Ivy Bridge, no una memoria RAM, un procesador entero hecho con estos transistores de tres estados.

Para entender un poco, así es el típico transistor de un Sandy Bridge actual fabricado bajo proceso de 32nm:

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Para aquellos que sufrieron la carrera de sistemas en la facultad o la de ingeniería electrónica saben como funciona un transistor y cómo es la lógica de su circuito. Las tres cosas para lo que sirven es para dejar pasar la corriente cuando se desea, impedirlo cuando no se desea y alternar entre estos estados lo más rápido posible, así tenemos los unos y ceros y la famosa frecuencia de trabajo.

Ahora bien, traducido a lo que más nos interesa en el primer estado se consume energía, en el segundo se desperdicia y lo tercero nos indica la velocidad en que todo eso sucederá. Estos procesadores tienden a perder energía dependiendo los voltajes en los que se trabaje y el tamaño de cada parte, cuanto más chicos más energía se pierde en forma de calor, esto fue la causa de la extinción de los famosos Pentium 4, soñaban con llegar a los 4Ghz pero nunca iban a poder con esos materiales.

El transistor 3D de Intel en cambio introduce un cambio en el diseño, en vez de una capa plana de inversión utilizan un silicio con tres lados creando un área de inversión mucho mayor (x5).

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Según Intel esto provoca que la compuerta tiene mayor control sobre la corriente que pasa por el transistor, el voltaje de la capa de silicio ya no afecta la corriente cuando el transistor está apagado, al tener mayor superficie puede pasar más corriente por él, la densidad no crece, entra en el mismo espacio y se pueden agregar más capas de silicio para mejorar la durabilidad y performance.

En teoría un procesador de 22nm hecho con 3D Tri-Gate debería perder menos energía en iddle que uno planar en el mismo tamaño, además se puede operar a un voltaje menor lo que disminuye el consumo directamente. Dependiendo la velocidad de switch se puede ganar entre un 37% y un 18% de baja de consumo, comparado con un Sandy Bridge actual que ya tiene buena performance de batería ¿que tal un 37% más?

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Esta tecnología no la veremos este año pero tampoco habrá que esperar demasiado, 2012 es el año en que todos los micros de Intel pasarán a usar las compuertas 3D Tri-Gate y el proceso de 22nm (los Atom recién en 2013).

Ahora sí el sueño dorado de los 4Ghz abandonados en el Pentium 4 se logrará pasar con estos cambios notables y quien les dice tal vez el año que viene veamos teléfonos con procesadores x86, lo digo despreciando los actuales intentos del gigante azul por conquistar un mercado esquivo. Veremos que harán ARM y AMD para tratar de evolucionar o morir en el intento.

Aquí lo tienen todo explicado para principiantes:

Fuentes: Engadget, Anandtech

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