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Toshiba y un avance importante en MRAM

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Las memorias magnetoresistivas no son muy conocidas, su desarrollo comenzó en los años 90 y por distintas razones técnicas no se usan, pero tienen enormes ventajas por sobre las memorias SRAM, DRAM y flash, entre ellas la enorme densidad que pueden lograr.

Las celdas de memoria en una MRAM no se almacenan como corrientes o cargas eléctricas si no en compartimentos magnéticos formados por dos partes ferromagnéticas cada una de las cuales puede contener un campo magnético y separados por un material aislante. Uno de los elementos tiene una carga constante definida previamente y el segundo se carga para un lado o el otro para definir el bit.

Las memorias magnetoresistivas tienen algunos problemas todavía, uno de ellos es la pérdida de carga que hace perder datos si no se le mantiene una fuente constante de energía, pero a la vez hay corrientes de pérdida que la hacen consumir en exceso. Las corrientes de pérdida se dan en todo tipo de circuito electrónico microscópico, a cierta diferencia de potencial los electrones superan al material semiconductor cuando no deberían, esas pérdidas son lo peor que puede pasar (por ej: por esta razón Intel pasó a sus nuevos transistores FinFET o 3D, para evitar estas pérdidas).

Toshiba ha logrado superar este gran inconveniente, o al menos eso anuncia, y lo ha logrado sin sacrificar velocidad (una de las formas de no tener esas pérdidas), el truco es técnicamente tan complicado de explicar como toda la MRAM pero lo escribo para no omitirlo 😀 se trata de magnetizar el torque del spin en una dirección perpendicular a la capa magnética, claro, fácil de escribirlo, no así de entenderlo.

Resumiendo sería salir del modelo plano y paralelo a uno vertical y perpendicular, esta genialidad permite achicar aun más los elementos a menos de 30nm y reducir el consumo eléctrico en un 90% de lo que se usaba actualmente.

Obviamente esto es todavía experimental, pero en un tiempo no muy lejano las memorias RAM serán MRAM, toda la industria apuesta a esto hace rato. Toshiba encontró la fórmula que se le venía escapando a IBM.

Más data en la web de Toshiba via Engadget

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3 COMENTARIOS

  1. Muy bueno Fabio, nunca había escuchado nada sobre este tipo de memorias. De todos modos son volátiles, ¿no? O sea que no reemplazan a las flash…
    ¡Que irónico que en el mundo del almacenamiento masivo estén hace años tratando de escapar de los medios magnéticos y en el almacenamiento rápido vayan a migrar a eso! :s:
    Saludos

  2. eVeR dijo:
    [quote]Muy bueno Fabio, nunca había escuchado nada sobre este tipo de memorias. De todos modos son volátiles, ¿no? O sea que no reemplazan a las flash…
    ¡Que irónico que en el mundo del almacenamiento masivo estén hace años tratando de escapar de los medios magnéticos y en el almacenamiento rápido vayan a migrar a eso! :s:
    Saludos[/quote]

    si , pueden reemplazar la flash porque no pierden la magnetización luego de desconectadas, una vez superado el problema de las pérdidas de corriente (que es lo que logró Toshiba) no hace falta sostener el campo magnético de la celda, se banca solo.

    Por ende puede reemplazar a la memoria Flash con la densidad de celdas de una DRAM, un consumo muchísimo menor y velocidades de acceso de menos de 2ns que estan en lo máximo posible para memorias fabricadas con procesos más modernos.

    Por eso hay tantas empresas invirtiendo en investigación de las MRAM

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