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Samsung alcanza 1TB en sus memorias para celulares eUFS

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Imaginen 1TB de almacenamiento en su teléfono, si, esa capacidad que en muchos casos es superior a tu PC habitual, 1TB en la palma de la mano. Esa es la densidad que alcanzó Samsung para sus memorias eUFS (embedded Universal Flash Storage) que se desarrollan para celulares.

Hace un año y medio Samsung había alcanzado los 512GB y ahora ya llegaron a esta nueva cifra con velocidad secuencial de lectura de 1GB/s, escritura de 260MB/s, velocidad de lectura aleatoria de 58.000IOPS y escritura de 50.000IOPS, que sería unas 500 veces la velocidad de una memoria flash en microSD, algo que se usa habitualmente para expandir la capacidad de los teléfonos pero que, tanto por interfaz como por tecnología del chip, suelen ser muy lentas.

El nuevo integrado mide 11.5mm x 13.0mm y duplica la capacidad previa integrando 16 capas simultáneas de V-NAND de 512 Gbits y un nuevo controlador, de paso aumentando la capacidad de fábrica de estas V-NAND de Pyeongtaek en Corea, ya que esperan gran demanda por este chip y no sólo por parte de sus propios teléfonos sino de la competencia.

Via Samsung

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